O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika- texnika instituti yetakchi ilmiy xodimi, texnika fanlari doktori Yodgorova Dilbar Mustafoevna «Mustaqillikning 10 yilligi» ko‘krak nishoni bilan mukofotlangan.
Dilbar Yodgorova yarim o‘tkazgichli ko‘pqatlamli epitaksial tuzilmalar va ular asosidagi fotosezgir asboblar fizikasi va texnologiyasi bo‘yicha yetuk olima. U ko‘pqatlamli fotosezgir tuzilmalarda yorug‘lik va issiqlik ta’sirida sodir bo‘ladigan fizik hodisalarni ochib berdi va ularning funktsional xusu- siyatlarini kengaytirish uslublarini ishlab chiqqan.
Dilbar Mustafoevna ilk bor to‘yingan qotishma-eritmalarni kapillyar o‘ra orqali o‘zaro aralashtirish yo‘li bilan o‘stirilayotgan epitaksial qatlamlarda kirishmalarning taqsimot funktsiyalarini aniq boshqarish imkonini beruvchi yangi texnologiya yaratdi va ushbu texnologiya asosida shu kungacha ma’lum bo‘lgan analoglarga nisbatan fotosezgirligi va kuchaytirish koeffitsienti o‘n barobar yuqori bo‘lgan, hamda energiya tejamkor rejimda fotosezgirligini yuqori holatda saqlagan holda ishlash imkoniga ega bo‘lgan yangi tuzilishdagi maydoniy tranzistorlar taklif qildi va optoel ektronika sohasida mikrorejimda ishlovchi asboblar yo‘nalishiga asos soldi.
Olima o‘z izlanishlari davomida ko‘p qatlamli galliy arsenidli tuzilmalarda tok o‘tish jarayonlarini tadqiq etdi hamda fogosezgirligi o‘ta yuqori, xona haroratida infraqizil to‘lqinlarga sezgir bo‘lgan, kichik kuchlanishlarda ham ishlovchi yangi yarim o‘tkazgichli tuzilmalarni birinchi bor olish imkoniga erishdi.
«Galliy arsenidi asosidagi fotosezgir ko‘pqatlamli tuzilmalarni tayyorlash texnologiyasini ishlab chiqish» mavzuli doktorlik dissertatsiyasini 2015 yilda yoqlab, texnika fanlari doktori ilmiy darajasiga sazovor bo‘lgan.
Tadqikotning maqsadi sirti teksturalangan va kirishmalar taqsimoti profili oldindan berilgan epitaksial qatlamlar asosida galliy arsenidli ko‘p qatlamli fotosezgir tuzilmalarni ishlab chiqish hamda ularning funktsional harakteristikalarini yaxshilash va yangi ulanish rejimlarini tadqiq etishda iborag.
Tadqiqotning ilmiy yangiligi: ilk bor qotishma-eritmaga qo‘shimcha qotishma-eritmani qo‘shish tezligi bilan aniqlanadigan kirishmalarning taqsimot profilli AZV5 yarim o‘tkazgich birikmalari epitaksial qatlamini o‘stirishning no-izotermik usuli taklif qilingan va o‘stiriladigan
epitaksial qatlam qalinligi bo‘yicha kirishmalar taqsimoti fizik-texnologik modellashtirilgan.
Dilbar Yodgorova 2002-2004 yillardagi va Uzb-56(J) " In GaAs- GaAs geteroepitaksial o‘tishli mikrorelefli foto o‘zgartgichlarni ishlab chiqish va ularni tadqiq qilish" xalqaro loyihasining asosiy ijrochilaridan biri bo‘lgan, hamda ko‘pqatlamli galliy arsenidli tuzilmalar sirtida morfologik notekisliklar hosil qilish texnologiyalarini ishlab chiqqan va ushbu texnologiyalar asosida fotovoltaik asboblarning yangi avlodlarini yaratgan.
U ijodiy faoliyati davrida 250dan ziyod ilmiy maqolalar chop ettirgan va 15 ixtiroga O‘zbekiston respublikasi patentini olgan. Ilmiy maqolalarning 100 dan ortig‘i AQShda "R1eiades Publishing" va "Allerton Press" nashriyotlari tomonidan, chop etilgan.
Dilbar Mustafoevna Respublikamizda Kadrlar tayyorlash milliy dasturini amalga oshirishda faol ishtirok etib kelmoqda. Uning ilmiy rahbarligi ostida Fizika-tehnika institutida 3 ta yosh olim fizika-matematika fanlari bo‘yicha nomzodlik dissertatsiyalarini himoya qilganlar. U Respublikamiz Oliy o‘quv yurtlarida, jumladan O‘zbekiston Milliy Universiteti va Toshkent davlat texnika universitetida 10 dan ziyod iqtidorli talaba yoshlarni bakalavr bitiruv ishlariga va magistrlik dissertatsiya ishlariga rahbarlik qilgan.
Jamoat ishlarida faol, hozirda O‘zR FA Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti va Samarqand davlat universiteti huzurida fan doktori ilmiy darajasini beruvchi ilmiy kengash qoshidagi ilmiy seminar kotibi bo‘lib oliy tajribali kadrlar tayyorlashda o‘z hissasini qo‘shib kelmokda.
Dilbar Yodgorova o‘z sohasida yetuk mutaxassis, hamda jamoatchilik orasida obro‘si va talabchanligi bilan ajralib turadi. U oilali, 2 farzandning onasi.
